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CMOS-MEMS工艺气相HF刻蚀速率及其晶圆级均匀性的实验分析
本文介绍了CMOS- MEMS工艺中使用蒸汽氢氟酸(HF)的释放步骤的表征结果，该结果是通过一种控制CMOS-MEMS器件释放蚀刻工艺的新方法获得的。研究了释放孔尺寸对蚀刻速率和均匀性的影响。对于尺寸在0.48 m2和1 m2之间的释放孔，...
通过热释放金属有机膜进行晶圆级 MEMS 封装
This paper reports on the design, implementation and characterization of wafer-level packaging technology for a wide ran...
表面体微加工 (SBM) 工艺：一种在单晶硅中制造释放的MEMS 的新方法
This paper presents the surface/bulk micromachining (SBM) process to allow fabricating released microelectromechanical s...