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EOL应用中去除蚀刻后残留物的不同湿法清洗方法
引言高效交叉背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，从而为家庭消费提供足够的能量。我们认为，借助光阱方案，适当钝化的IBC电池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在这项工作中，使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶...
用硅蚀刻和湿法清洗开发高产量的硅通孔工艺
引言 本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。研究了TSV的电学特性，结果表明TSV具有低电阻和低电容；小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TS...
BEOL应用中去除蚀刻后残留物的不同湿法清洗方法
引言随着尺寸变得越来越小以及使用k值< 3.0的多孔电介质，后端(BEOL)应用中的图案化变得越来越具有挑战性。等离子体化学干法蚀刻变得越来越复杂，并因此对多孔材料产生损伤。在基于金属硬掩模(MHM)开口的低k图案化中，观察到两个主要...
化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影响
在总化学物质供给量不变的情况下，具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗，这是环境友好的，并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时，与具...
用于SiGe外延生长的湿法清洗序列
摘要在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效去除是强制性的。SEG之前的H2烘烤通常在低于...
用于SiGe外延生长的湿法清洗序列
在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效去除是强制性的。SEG之前的H2烘烤通常在低于65...
旋转超声雾化液中新型处理GaAs表面湿法清洗
提出了一种新的GaAs表面湿法清洗工艺。它的设计是为了技术的简单性和在GaAs表面产生的最小损害。它将GaAs清洗与三个条件结合起来，这三个条件包括(1)去除热力学不稳定的物质，和(2)在热清洗后必须完全去除表面氧化层，和(3)必须提供光滑...
氮化镓表面常温湿法清洗工艺
AbstractThe wet cleaning process at room temperature hasbeen developed for formation of the ultraclean GaN surface. The ...
湿法清洗系统中泵脉动对晶片表面颗粒污染的影响
The effects of pumping method on wafer cleaning were investigated. Two types of pump such as diaphragms and centrifugal ...
湿法清洗中颗粒去除的新概念
AbstractFor the manufacturing of submicron or deep submicron ULSIs, it is important to completely suppress particles and...