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国芯晶源--石英晶振项目
唐山国芯晶源电子有限公司，专业从事石英晶体谐振器、石英晶体振荡器产品的研发、生产与销售，现隶属于紫光集团旗下上市公司紫光国微（002049.SZ）。华林科纳承担蚀刻清洗机、马兰戈尼IPA干燥设备的供应。
GaAs在酸性和碱性溶液中的湿蚀刻
摘要本文用同步光电发射光谱法研究了无氧化物砷化镓表面与酸性(盐酸+2-丙醇)和碱性(氨水）溶液的相互作用。结果表明，两种溶液主要处理表面镓原子，分别形成弱可溶性氯化镓和可溶性氢化镓。因此，表面的Ga-As键断裂，元素砷留在砷化镓表面。此外，...
控制碱性蚀刻液的表面张力
氢氧化钾(KOH)和添加剂2-丙醇(异丙醇，IPA)通常用于单晶硅片的碱性织构化，以减少其反射。氢氧化钾和异丙醇在水中的蚀刻混合物需要明确定义氢氧化钾和异丙醇的水平，以消除锯损伤，并获得完全随机金字塔覆盖的纹理。蚀刻速率和纹理化工艺取决于镀...
湿法化学蚀刻硅太阳能电池的光电特性
通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻，在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点，有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构的光学特性。样品的全反射系数低于未经处理的硅太阳...
蚀刻清洁延迟时间对前端应用中蚀刻后残留物去除的影响
清洁是半导体集成电路生产过程中经常反复出现的一个过程步骤。它既可以从前一个过程中去除残留物，也可以为下一个过程准备表面。清洁和薄膜沉积过程的集成是至关重要的。氢氟酸最后一次清洗过程后的沉积延迟会导致环境暴露下裸硅表面的氧化物再生，或仅仅是表...
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话，蚀刻均匀度最好...
在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成
到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻之后，晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度...
在碳酸氢钠溶液中单晶硅各向异性蚀刻法制备的微结构
本文研究了基于碳酸钠和碳酸氢钠混合溶液在不同条件下制作单晶硅片微结构的方法。根据表面形态大小和覆盖率对纹理化过程进行了评估。实验表明，Na2CO3浓度的影响通过在5 wt%和30 wt%之间改变浓度是显著的。结果表明，随着Na2CO3浓度的...
Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响
引言我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成，描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和（或）反应性。在我们的模型中，小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定，铜杂质吸附在表面上并作为钉扎剂。随机吸附模型不会导致小丘的形成，因...
湿蚀刻法制备的LiNbO3
引言我们介绍了以铬(Cr)条纹为掩模，用高频和硝酸混合物蚀刻的LiNbO3脊波导。通过在蚀刻剂中加入一些乙醇，可以获得光滑的蚀刻表面。在湿蚀过程之前，用Cr掩模对样品进行退火，几乎避免了下蚀。证明了高度高达8m、宽度在4.5到7.0m之间的...