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Si Etch 工艺资料
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SiC衬底上的GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
新一代GaN/AlGaN高温微波功率电子器件的开发需要具有低栅极泄漏夹断特性的场效应晶体管，特别是在高温下。1这些特性直接影响器件漏极击穿电压、射频性能和噪声系数。过去，有几个研究小组试图使用金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(misfet)...
湿法化学清洗过程中Si表面原生氧化物的不均匀性
本文研究了湿化学清洗过程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均匀性。均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定。由于光激发氟蚀刻硅的速度比蚀刻氧化硅快40倍，它突出了硅表面上的硅原生氧化物，使它们可以通过扫描隧道显微镜或原子力显微镜观察到。...
Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响
引言我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成，描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和（或）反应性。在我们的模型中，小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定，铜杂质吸附在表面上并作为钉扎剂。随机吸附模型不会导致小丘的形成，因...
用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻
分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案的各向异性湿式化学蚀刻。 本文主要目的是评...
表面活性剂添加剂对碱性KOH溶液中Si晶面表面粗糙度的影响
碱性溶液中硅的各向异性刻蚀广泛用于微机电系统(MEMS)中的体微加工。单晶硅的各向异性湿法刻蚀依赖于其晶面的不同刻蚀速率，已被用于制造各种微机电系统器件。在所有的各向异性蚀刻剂中，无机氢氧化钾(氢氧化钾)是最常用的，因为它易于制备且毒性较小...
使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造
引言我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀，用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意非球面。我们讨论了决定成形零件精度和最终表面质量的因素。我们演示了1毫...
用于颗粒去除实验的 Si3N4沉积技术的比较
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“> 1000个氮化物颗粒”。然而，它没有规定用于...
SC1/SC2蚀刻后Si表面的分析
引言本文首次提出了由标准SC1/SC2腐蚀周期引起的Si (100)表面改性的证据。SC1/SC2蚀刻(也称为RCA清洗)通过NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀释的HF中去除氧化物，通过HCl:H2O2:H2O混合物进一步氧化，...
SiO2原子层蚀刻法去除硅基质的薄氧化物层
引言原子级表面工程面临的一个挑战是在实现纳米尺度刻蚀控制的同时，将衬底损伤和表面残留物降至最低。干法蚀刻后的残留物最小化是一个重要的要求。加工过程中引入的缺陷和损坏会大大降低器件性能。因此，最小化衬底损伤对于任何原子级工艺的成功都是至关重要...