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用于SiGe外延生长的湿法清洗序列
摘要在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效去除是强制性的。SEG之前的H2烘烤通常在低于...
用于SiGe外延生长的湿法清洗序列
在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效去除是强制性的。SEG之前的H2烘烤通常在低于65...
SiGe的蚀刻和沉积控制
AbstractEmbedded SiGe is applied in CMOS at recent technology nodes to improve device performance and enable scaling. ...
SiGe的选择性化学湿刻蚀
In this paper, a comprehensive study of the etching behavior of this high selectivity etchant is presented, including th...
金属氧化物半导体工艺对SiGe材料表面粗糙度的影响
The impact of metal–oxide–semiconductor processing on strained Si/SiGe device structures has been examined. Material was...
在 Si (111) 上的虚拟 SiGe 衬底上 外延生长 Nd2O3 层
ABSTRACTThis study explores the growth and structural characteristics of Nd2O3 layers on virtual germanium-rich SiGe sub...
Ge_SiGe 量子异质结构进行 Ge 层的高质量 CVD 沉积
ABSTRACT. A great deal of interest is directed nowadays towards the development of innovative technologies in the field...
SiGe Etch
伴随着 CMOS 技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小，传统 CMOS 工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于 PMOS 驱动电流的要求。在关键尺寸进入 28 nm 及以下后，必须采用锗硅（SiGe）外延技术来加大 PMOS 的...