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用磷酸揭示氮化硅对二氧化硅的选择性蚀刻机理
关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏电流的极端规模集成。在这个过程中，固相氮化硅(Si3N4)...
二氧化硅玻璃陶瓷刻蚀化学及HF辅助刻蚀的机理观察
关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 本文研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在室温下，非晶相的腐蚀速率是纯堇青石晶体的218倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氢溶液中的活化能分别为5...
次氯酸钠对单晶硅表面的纹理蚀刻
单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔，它们在器件中有很大的应用。通过碱性蚀刻剂对硅(100)的单晶结构进行的表面纹理化被称为“随机金字塔”。晶体硅的表面纹理化通过使用不同的...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
引言薄膜铌酸锂光子集成电路由于其优越的电光性能和较大的二阶光学非线性，近年来成为许多新兴应用的光子学平台。这是通过最近开发具有低传播损耗的高限制波导实现的，与无源材料平台相当。所需的低损耗和非线性材料特性可以很容易地补充现有平台，如磷化铟(...
HNO3浓度对蚀刻速率和硅结构的影响
引言新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷，导致晶片破裂，表面粗糙。因此，化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中，不同浓度的...
下一代光刻无硫酸盐清洁工艺的研究
引言目前，掩模版表面上的雾度和晶体生长仍然是微光刻工业主要关心的问题。晶体限制了标线的使用，因为它们会在晶片上产生可印刷的缺陷。到目前为止，已经提出了许多研究。一般认为，不同的根本原因会导致晶体生长和雾度形成，其中包括来自清洁过程的掩模表面...
使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻
介绍在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得...
磷酸盐缓冲盐水的性能对石英晶体谐振器振动特性的影响
引言PH缓冲液通常用于生物化学中控制PH和保持蛋白质的稳定性。它们通常是弱酸（碱）及其共轭碱（酸）的水溶液。石英晶体微平衡(QCM)是一种广为人知的生物传感工具，是利用索尔布雷在1959年提出的著名的质量频移效应开发出来的。当在液体中使用时...
氧化锌半导体在酸溶液中的湿刻蚀研究
氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率，非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体，在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题...