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TiN硬掩模湿法去除工艺
介绍 TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已广泛用于BEOL图案化，以避免等离子体灰化过程中的超低k (ULK)损伤。随着技术节点的进步，新的集成方案必须被用于利用193 nm浸没光刻来图案化80 nm间距以下的特征。特别是，为了确...
TiN金属硬掩模蚀刻残留物的去除
引言开发了一种新的湿法清洗配方方法，其锡蚀刻速率在室温下超过30/min，在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容，适用于铜双镶嵌互连28 nm和更小的技术节点应用。该化学品提供了在单晶片工具应用的清洗过程中原位控制锡拉回...
半导体资料丨TiN 薄膜沉积，氧化铝薄膜，化学镀沉积金属薄膜
热原子层沉积 TiN 薄膜沉积温度的影响In this study, the effect of deposition temperature of TiN thin films deposited using the thermal at...