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退火对化学制备氧化铜薄膜物理性能影响的研究
摘要铜氧化物（CuO）薄膜是用于PSC和p-n结SC的候选材料。通过化学浴沉积（CBD）在玻璃基板上沉积了这些薄膜，并研究了在马弗炉中以300、350、400、450和500°C的温度下进行1小时退火处理对不同物理性能的影响。XRD光谱与C...
半导体资料丨湿法刻蚀锗，过氧化氢点解刻蚀，Cu电镀
用湿法腐蚀法从块状锗衬底上制备亚10 um厚的锗薄膜 Low-detect density Ge thin films are crucial for studying the impact of deect density on the ...
用于晶圆上芯片3D 异质集成 μLED 的室温直接铜半加成电镀 (SAP) 键合
Abstract— This letter describes a direct Cu bonding technology to there-dimensionally integrate heterogeneous dielets ba...
用超薄钐层钝化多晶铜
Herein, it is reported that how a layer of samarium (Sm) with a thickness equivalent to ≈2 atoms (0.8 nm) deposited by t...