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含 HF 的有机清洗液中的铜薄膜溶解
我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为。采用电感耦合等离子体质谱监测Cu2+，利用x射线光电子谱监测硅片表面的氧化态，研究了薄膜铜的溶解和反应动力学。确定了反应动力学相对于心衰和氧浓度都是一阶的。提出了一...
含HF机清洁溶液中铜薄膜的腐蚀行为
引言 我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为，进行了电位动力学极化实验，以确定主动、主动-被动、被动和跨被动区域。腐蚀率是由塔菲尔斜坡计算出来的。利用电感耦合等离子体质谱ICP-MS和x射线光电子光谱XP...
化学蚀刻的铜-ETP铜
化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中，铜在50℃用两种不同的蚀刻剂(氯化铁和氯化铜)进行化学蚀刻。研究了...
化学镀NiP-Pd沉积过程中铜和镍的腐蚀
介绍对于集成电路(IC)芯片，焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来，铝(Al)一直是使用最广泛的互连金属。然而，在过去十年中，它已被新一代IC的铜(Cu)互连所取代。与铝不同，铜易受环境退化...
添加剂对稀释 HF 溶液中铜表面镀到硅表面的影响
引言随着半导体器件不断向越来越小的尺寸发展，保持硅表面无污染以提高器件功能、产量和可靠性变得越来越重要。基于RCA的湿法化学清洗仍然广泛用于半导体器件制造工艺。经过SC-1和SC-2处理后，硅表面具有约1纳米厚的化学氧化层。对于预浸清洗，低...
铜在去离子水中的蚀刻
引言 描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中，含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化后残留的Cu中产生空隙，导致受影响的阵列电路中的高电阻和功能故障。去离子水中的溶解氧浓度必须最小化，...
从缓冲氧化物蚀刻剂中将铜沉积到硅晶片上
引言已经研究了从缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)到裸硅、二氧化硅和图案化硅水的铜沉积。在二氧化硅表面上不会发生沉积，而在图案化的二氧化硅区域1上观察到的沉积水平介于裸硅和二氧化硅上的沉积水平之间。每次浸入BOE溶液后，晶片清洗的持续时间、硅材料以...
湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述
湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要商业材料，它们的广泛应用是由于其优异的导电性...
铜薄膜在含HF清洗液中的腐蚀行为
引言铜是超大规模集成ULSI的金属化选择。在先进的微处理器中，铜布线现在被用于所有具有多达12个金属化层的互连层。原则上，互连是由金属线制成的电路径或电荷载体，并且被绝缘的层间电介质ILD材料分隔开。用铜代替铝合金要求在集成、金属化和图案化...
有机酸清洗液中的铜
用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草酸的钝化性能外，其他铜的电化学行为都观察出类似的电化行为。有机酸与稀释的氢氟...