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硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺能的影响
本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在（111）择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，ZnO在不同时间被蚀刻，并通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光...
HNO3浓度对蚀刻速率和硅结构的影响
引言新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷，导致晶片破裂，表面粗糙。因此，化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中，不同浓度的...
硝酸浓度对硅晶片腐蚀速率的影响
引言薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术，因为其减薄率很高。新的微电子产品要求硅晶片厚度减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产...
硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺能的影响
Penyelidikan ini melaporkan fabrikasi struktur zink oksida berliang melalui proses punaran basah. Filem nipis Zn0dienapk...
用硝酸和氢氟酸刻蚀硅的研究
摘要：本文提出了一种数字蚀刻方法，以实现对蚀刻深度的精确控制。该方法使用HNO3氧化和BOE氧化物去除工艺的组合，对p+ Si和Si0.7Ge0.3的数字蚀刻特性进行了研究。实验表明，由于低激活能，氧化会随着时间的推移而饱和。提出了一种物理...