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用于光掩模清洁的两种兆声波装置
湿式光掩模清洗依赖于兆频超声波搅拌来增强工艺，但要可靠地最大化粒子去除效率并最小化损坏，还有许多挑战。随着向无薄膜EUV掩模的转变，光掩模工艺更容易受到污染，增加了改进清洁工艺的紧迫性。这一困难主要是由于无法对声场进行适当的测量。典型地，关...
通过直接晶圆键合评估兆声波清洗技术
就微粒污染而言，不同的微电子工艺需要非常干净的表 面。其中，直接晶片键合在微粒清洁度方面有非常苛刻 的要求。目前的工作描述了单晶片兆频超声波清洗方法的开发、测试和验证，该方法利用换能器设计，满足生 产规模晶片键合和其他极低颗粒应用的极端颗粒...
通过直接晶圆键合评估兆声波清洗技术
我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无源波导的一种有前途的替代物。利用锗有源层的高晶体质量和非晶硅波导的易...
EUV 光掩模兆声清洗中的声流效应
从光掩模中去除纳米尺度的污染物颗粒对于32纳米节点的EUV光刻的实施至关重要。兆频超声波清洗传统上用于光掩模清洗，延伸到50纳米以下的微粒去除被认为是无图案损伤的清洗方法。据信在兆频超声波清洗系统中有几种去除机制是有效的，气穴现象和声流现象...
用兆声搅拌模块改湿刻蚀的特性
引言近年来，小尺寸、轻重量、低生产成本和可再现的可制造性的器件变得非常重要。通过湿法蚀刻单晶硅或玻璃的微机械加工可以符合这些严格的要求。硅或玻璃的湿法蚀刻是体微机械加工的关键技术，用于生产微器件，如压力传感器的隔膜、光纤对准的V形槽和生物芯...
评估兆声波清洗系统的颗粒去除效率和破坏性
In future semiconductor technology generations cleaning processes will face the challenge of removing nano-particles wit...
硅片湿法清洗槽中兆声波下的水和气泡运动
The influences of a megasonic wave on water and bubblemotions in a wet cleaning bath used for 300 mm-diameter siliconwaf...
硅晶片兆声清洗过程中的去除力分析
Megasonic waves have been extensively used to remove contaminant particles from silicon wafers during manufacturing of s...
兆声波技术进行TSV蚀刻后清洗工艺
In this paper, the method of space alternated phase shift (SAPS) megasonic technology is applied for post-etch (Bosch) ...
去离子水中溶解二氧化碳对减少兆声清洗过程中晶片损伤的作用
Particle removal from wafer surfaces can be accomplished by irradiation of cleaning fluid by sound waves in the MHz fre...