半导体晶圆干燥的研究

通过测量晶片上的残留物得知，晶片上已经分配并干燥了含有金属盐作为示踪元素的溶液。假设有两种不同的沉积机制：吸附和蒸发沉积。

第一种机制是污染物和晶圆表面之间吸引相互作用的结果，而第二种机制是由于干燥过程中的液体蒸发。

对于第二种情况，蒸发膜厚度被引入作为所研究干燥过程的品质因数。将旋转干燥与两种基于 Marangoni 的干燥进行了比较：在垂直移动的晶圆上和在水平旋转的晶圆上。

结果表明，对于旋转干燥，会发生两个连续的阶段：在旋转的前几秒，液体对流去除是主要机制，随后是蒸发接管的阶段。旋转干燥过程中液体蒸发量与旋转速度的平方根成反比。这表明晶片表面上的气流夹带液体是蒸发的主要机制。这一发现与描述旋转基板夹带的气体流动的流体动力学模型一致。在垂直移动的晶圆上和水平旋转的晶圆上。