化合物半导体晶圆生产

化合物半导体是许多军事和其他专业电子设备的重要材料，例如激光器、高频电子设备、LED、光接收器、光电集成电路等。自 1990 年代以来，GaN 已普遍用于许多不同的商业 LED 应用.

化合物半导体独特的发光能力是由于它们是直接带隙半导体。由直接带隙半导体制成的器件发出的光的波长取决于带隙能量。通过巧妙地设计由具有直接带隙的不同化合物半导体构建的复合器件的带隙结构，工程师们已经能够生产固态发光器件，从用于光纤通信的激光器到高效 LED 灯泡。

简单的二元化合物半导体可以批量制备，单晶晶片的生产工艺类似于硅晶片制造中使用的工艺。GaAs、InP 和其他化合物半导体锭可以使用 Czochralski 或 Bridgman-Stockbarger 方法生长，并以类似于硅晶片生产的方式制备晶片。化合物半导体晶片的表面调节（即，使它们具有反射性和平坦性）由于存在至少两种元素并且这些元素可以以不同方式与蚀刻剂和研磨剂反应这一事实而变得复杂。