光刻胶剥离

脱胶：

在微电子器件的制造过程中，去除光刻胶层往往是一个不可避免的过程步骤。

通过等离子体的各向同性带过程，这种有机层的去除是可以不损害等离子体的。

强大的过程：

通常使用氧气或氧气混合物作为工艺气体。工作压力约为10到100 Pa，根据系统类型、加载和抗蚀剂类型，剥离速率可达300 nm/min。此外，还可以以中等的蚀刻率去除薄膜厚度高达1000µm的环氧基抗蚀剂。

在这过程控制中可以提供衬底的缓慢温升，这是去除重交联光阻剂的一个优点，特别是在植入或RIE过程之后。使用微波等离子体系统，这种阻力通常可以被剥离，而不会出现“弹出效应”。

特性：

各向同性条带工艺

高蚀刻率

低弹出效果

无等离子体损伤

系统工程：

利用非常成熟的微波等离子体技术（2.45 GHz）为其光刻胶脱光剂，同时产生高度的电离和低溅射率。主要的优点是有效和温和的工艺，与较低的激励频率相比，工艺时间更短。

应用程序：

光致抗蚀剂剥离

SU-8移除

去除高交联抗蚀剂，如高剂量植入或rie蚀刻后

去除有机牺牲层

创建亲水表面

在湿的化学过程之前

工艺后的晶片清洗

总结：

与湿化学剥离方法相比，等离子体去除是一种非常高效和环保的替代方法。