各向异性刻蚀

各向异性刻蚀是一种减材微加工技术，旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。

然而，概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质：它应该是由于边缘 Si 原子和蚀刻自由基之间的分子相互作用而导致 Si-Si 背界强度的变化产生的。蚀刻速率的极坐标图包含有关蚀刻反应分子机制的宝贵信息，可用于显着增强微加工技术。因此，从束缚强度等原子参数开始并描绘各向异性图的工具应该为判断不同模型的拟合或局限性提供真正的进步。

实现各向异性蚀刻轮廓的第一种方法是侧壁保护方法，例如，在使用基于 CF ₄的等离子体蚀刻 Si 期间，离子辅助反应的效果略微取决于离子能量在这种方法中，晶圆表面的侧壁由 SiO ₂等无机材料保护或在蚀刻过程中等离子体中产生的有机聚合物，整个晶圆表面及其图案侧壁均需覆盖保护材料。由于离子和自由基的方向性，表面的保护层被腐蚀掉，但是由于几乎没有撞击离子，图形侧壁的保护层没有被剥离，这是侧壁保护方法的基本机制。