Single Wafer Clean

单晶圆清洗的清洗过程是在室温下重复利用 DI-03/DHE 清洗液进行的，臭氧化的 DI水(DI-03)用来产生氧化硅，稀释的 HF 用来蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求，采用较短的喷淋时间就可获得较好的清洗效果，不会发生交叉污染。最后冲洗可采用 DI水或采用臭氧化的 DI水。为了避免水渍，采用浓缩了大量氮气的异丙基乙醇 (IPA) 进行干燥处理。单晶圆清洗具有比改良的 RCA 清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用 DI水及 HF 的再循环利用，降低了化学品的消耗量，提高了晶圆成本效益。