ICP-CVD 系统
ICP-CVD（电感耦合等离子体化学气相沉积）由 1 个沉积室和 1 个配备自动处理晶圆传输的负载锁定室组成。
物理气相沉积系统
1、与其他 CVD 工具相比，等离子体增强 CVD (PECVD) 系统可以在较低温度下沉积 SiO2、SiN、a-Si 和 PETEOS 薄膜。
2、带 2 个主 PVD 室的集群 PVD 系统，每个室最多可容纳 10 个目标配置。
3、用于金属和金属氧化物材料的 PVD 系统，具有旋转基板沉积。
4、用于 Al、Ta、TaN、Cu、Ti、TiN 的 PVD 系统。
5、用于 TiW、Cu、Ir、Ag、SiO2、GeTeSb 的 PVD系统。
6、氮化铝薄膜PVD系统
7、用于原子层沉积的 PVD 系统
8、用于凸块下金属化的 PVD系统
双 Bean 离子辅助沉积 (IAD) 系统
IAD（离子辅助沉积）系统由 1 个沉积离子源、1 个用于清洁的蚀刻离子源和 1 个配备自动处理晶圆传输的负载锁室组成。目标配置允许安装 2 个目标以进行多层堆叠沉积。使用 N2 或 O2 进行反应溅射以沉积氧化物和氮化物。
单晶圆加工蒸发器
单晶圆加工电子束蒸发器配备6孔坩埚分度器，因此可在单次运行中实现多达 6 种不同类型的层堆叠沉积。
电感耦合等离子体 (ICP) 沉积系统
ICP（感应耦合等离子体）等离子增强原子层沉积工具配备了一个带有液体/固体/气体/臭氧等离子体前体的单室，最多可容纳 12 个源和 6 个独立的入口。这种高精度薄膜涂层可用于在具有超高纵横比特征的基板上沉积保形、均匀的薄膜。
热原子层沉积 (ALD) 系统
热 ALD 系统配备一个腔室，带有 3 个加热前驱体和 2 个非加热前驱体，用于在具有超高纵横比特征的基板上均匀保形涂层。
快速热处理器
配备单腔室，带加热器控制，用于受控的热升温。退火可以在真空或大气环境下进行。
固化退火炉
立式间歇炉具有领先的生产率，能够在 200 和 300 毫米生产之间切换，无需停机。通过先进的横流室设计增强过程控制并减少缺陷。快速升温和冷却可减少热预算。应用包括铜和金属退火、聚酰亚胺固化和钝化介电固化。
