缺陷率改善
高速单晶圆产品现专注于改善缺陷率,这包括去除晶圆正面、背面和边缘的颗粒和残留物污染。
去除缺陷时不会对敏感结构造成物理损坏，也不会蚀刻薄膜。这是通过使用先进的物理清洁技术。
高速提供 4 或 6 室版本，每个版本都带有堆叠室以最大限度地减少占地面积。该技术和平台用于颗粒去除（后沉积、敏感结构、背面和后 CMP）和后蚀刻/灰化应用。
平台
1、4 或 6 室版本
2、堆叠式腔室设计可减少占地面积并简化机器人技术
3、颗粒去除应用的吞吐量 >250wph
4、300mm、200mm 或桥接工具
5、按应用配置的技术
6、按应用配置化学品（稀释 SC1/NH4OH、酸、溶剂）
7、独立或同步的正面和背面处理
应用
颗粒去除
传统和高级洗涤器应用的缺陷改进。
1、敏感结构，通常是蚀刻后，STI、栅极堆叠、BEOL 电介质沟槽、Al 线
2、背面清洗，包括预光刻工艺
3、沉积后，氧化物、多晶硅、氮化物、金属
4、综合 CMP 清洁后的最终清洁
BEOL后蚀刻、灰化
通过在传统的纯化学应用中添加物理和干燥技术来提高性能
1、对于铝互连,用于后铝和过孔蚀刻的 DSP 和其他化学品
2、对于 Cu 互连,用于通孔和沟槽级清洁的半水溶剂和稀酸混合物
FEOL后灰
通过添加物理技术增强残留物和颗粒去除。
1、后 STI 蚀刻
2、栅堆叠清洁——蚀刻后和注入/灰化
