硅晶片的清洗程序

概况：

硅片用溶剂清洗，然后是DI冲洗，然后是RCA清洗和DI冲洗，然后是HF浸渍和DI冲洗和吹干。

所需时间：这个过程总共需要一个小时才能完成。

所需材料：

1、丙酮

2、甲醇

3、氢氧化铵

4、过氧化氢

5、稀释（2%）氢氟酸

6、Pyrex浴容器

7、热电炉

8、保护装置

9、氯丁橡胶手套

10、安全眼镜

11、防护服

溶剂可以清洁玻璃表面出现的油和有机残留物。不幸的是，溶剂本身（尤其是丙酮）会留下它们自己的残留物。这就是为什么使用双溶剂方法。

将丙酮倒入一个玻璃容器中。将甲醇倒入一个单独的容器中，将丙酮容器放在热板上加热（不超过55摄氏度），将硅片放入温暖的丙酮浴中放置10分钟。拆卸并放入甲醇中放置2-5分钟。用去离子水冲洗（可选择去离子水冲洗），吹氮。如果溶剂是干净的，若打算再次使用它们，用标签记住容器名称日期和内容。不要往下水道里倒下任何溶剂。

RCA -1清洁

1、晶圆在70℃的RCA浴中浸泡(15分钟）

2、DI冲洗并吹干

3、清理、处置废物

HF浸渍:

1、高频浸需要使用氯丁橡胶手套

2、在2%溶液中（2分钟）

3、润湿性试验

4、DI冲洗/吹干

5、清理、处置废物