等离子处理的终点检测

时间:2023-06-08 08:19:23 浏览量:0

光学传感器(带数字显示)系统通常用于确定蚀刻时间过程完成,然后手动终止等离子过程。这种端点检测不需要识别特定的发射物质,只需要在蚀刻到达薄膜和基板之间的界面时光谱特征改变强度。通常,在硅上蚀刻氧化物时,使用 483nm 或 520nm 滤光片(CO 线)检测终点。因为该区域的光谱背景降低。终点检测是必需的,因为在终点处蚀刻速率会增加——因为暴露面积会减少到最小值,而蚀刻剂浓度接近最大值。在此端点处迅速终止蚀刻可减少蚀刻掩模的底切,从而减少对正在构建的设备的损坏。


光学发射光谱:两个带通滤波器安装并集成到 AutoGlow 200 室外部的视口窗口中,以便直接实时监测等离子体化学。通过观察腔室的窗口观察等离子体放电,这种非侵入性技术可以通过观察光谱强度的增加或减少来报告等离子体状况,而不会扰动等离子体过程,用户可以:

1、检查真空泄漏(通过增加氮气排放)

2、确认所有有机物已被去除(通过减少碳排放)

3、“指纹”等离子系统在正常条件下与标准进行比较。

4、快速筛查空气泄漏、高水分含量或污染。

5、确认室等离子清洁已经完成(通过确认返回基线)

文件下载请联系管理员: 400-876-8096

下一篇: 各向同性蚀刻