各向同性蚀刻

各向同性蚀刻是半导体中常用的一种方法，通过使用蚀刻物质的化学过程从基板上去除材料。蚀刻剂可以是液相、气相或等离子相，尽管液体蚀刻剂如缓冲氢酸氟(BHF)更常用于二氧化硅蚀刻不同于各向蚀刻蚀刻，各向同性蚀刻不是在单一方向上蚀刻，而是在衬底内在多个方向上蚀刻。因此，蚀刻方向的任何水平分量都可能导致图案化区域的底切，以及器件特性的显着变化。各向同性蚀刻能不可避免地发生，或者出于工艺原因可能需要进行蚀刻。

对于各向同性工艺，蚀刻或沉积速率在所有方向上都是均匀的。在这种情况下，所有速率向量的轮廓形成一个球体。湿法蚀刻的各向同性行为向下和向侧面去除硅，将球形腔蚀刻到基板中。如果晶圆表面被氧化物或抗蚀剂掩模部分覆盖，则蚀刻剂会侵蚀未被掩模保护的区域的晶圆表面。用于去除掩模和牺牲层的化学湿法蚀刻是这种各向同性步骤的常见应用，它会导致强烈的蚀刻不足和特征的横向加宽。