氮化硅湿法蚀刻工艺

氮化硅用作掩模以在半导体制造中产生微结构和连接。在大多数蚀刻应用中，可以通过改变温度或化学浓度来改变蚀刻速率，但最好将氮化硅蚀刻控制在其沸点和去离子水溶液中磷酸浓度为 85% 的条件下。

磷酸蚀刻液是一种粘稠的液体，加热至约160摄氏度沸腾。高温意味着一些水会蒸发并以蒸汽形式流失，从而增加剩余液体的酸浓度。随着浓度的增加，溶液的沸点升高，必须加水以保持过程变量不变。

向溶液中加入水是危险的，因为如果一次加入过多的水，溶液就会停止沸腾，加入的水会在粘性酸上方形成一层薄膜。随着温度再次升高，酸开始沸腾，薄膜中的大量水与酸混合，可能引起爆炸反应。

相反，控制系统必须确保一次只添加少量的水，并且这些少量的水会立即与剩余的酸溶液混合。这种控制策略可实现恒定的过程特性、安全操作和高质量输出。