控制和改进KOH蚀刻的方法

KOH蚀刻使用氢氧化钾溶液蚀刻硅晶片。蚀刻速率受浴温、氢氧化钾浓度、硅晶格的取向和可能的硅掺杂的影响。这些因素中的每一个都有助于确定蚀刻在水平和垂直方向上进行的速度。

硅的立方晶格在不同方向上具有不同的原子密度。以蚀刻在给定方向上进行得更快的方式来定向晶片。掺杂或向硅中添加杂质可用于在晶片中的特定位置停止蚀刻。虽然这两个因素都会影响蚀刻速率和微观硅结构，但它们在蚀刻过程开始之前就已确定。

由于蚀刻速率部分取决于 KOH 浓度，因此向水中添加适量的 KOH 至关重要。准确的化学品输送系统可以帮助确保蚀刻槽在蚀刻过程开始之前包含正确的溶液浓度。

蚀刻速率随着温度升高而加快。这意味着槽和溶液的温度必须迅速升高到指定的水平，并且必须在蚀刻过程的持续时间内精确地保持在设定点。精确的温度控制对于提高蚀刻性能很重要。