湿基材表面清洁

晶片表面的湿法化学清洗和调节是大多数半导体器件制造方案中的关键工艺步骤。

湿基材表面清洁产品

我们提供用于生产清洁溶液中使用的某些化学品的设备，特别是臭氧水输送系统系列。已发现去离子水/臭氧溶液 (DIO ₃ ) 在表面清洁的许多方面提供清洁、安全和高效的 Piranha 和 RCA SC-1 和 SC-2 清洁替代品。

有机物去除和光刻胶剥离

作为强氧化剂，臭氧 O 3会与大多数有机化合物迅速发生反应。O ₃直接与碳氢化合物反应并产生与有机物反应更剧烈的氧自由基。因此，DIO₃ 可用作去除吸附在晶片表面上的环境有机分子的有效清洁剂。更重要的是，当与兆声波搅拌结合使用时，DIO ₃可以非常有效地去除晶圆表面的光刻胶残留物。

SCROD清洁

虽然纯 DIO ₃不适用于清洁晶圆表面的金属和颗粒，但结合使用 O₃ 与 HF 和/或盐酸的清洁方案对此非常有效。重复、交替使用 DIO ₃和稀释 HF (DHF)的单晶圆旋转清洗被称为 SCROD 清洗方法。SCROD 清洁氧化基板（通过 O ₃的作用) 产生约 1nm 厚度的自限氧化层，HF 随后将其溶解。氧化物层的顺序氧化和溶解有效地从衬底表面去除颗粒和吸附的金属。SCROD 清洁最初由索尼的工作人员开发，经证明可以从基材表面去除 87% 的氧化铝颗粒、97% 的氮化硅颗粒和 99.5% 的聚苯乙烯乳胶颗粒。这比使用标准 SC-1 清洁所能达到的颗粒去除效率高出近一个数量级。同样，研究表明，使用 SCROD 方法可以使基板表面的金属污染水平低于 1 x 10⁹。

高级光罩清洗

用于标线清洁的传统方法 (RCA) 会降低其光学特性，并且标线只能清洁 2 到 8 次，然后才会因表面粗糙而出现不可接受的劣化。由于基于臭氧的化学物质产生的表面粗糙度非常小，因此它们在光罩清洁应用中越来越受欢迎。

溶解臭氧输送系统

臭氧运输系统设计用于多室单晶圆清洁工具，其清洁应用需要高达 140 升/分钟的 DIO ₃流量和 25 - 115 ppm 的臭氧浓度。臭氧水输送系统系统有一个集成的溶解臭氧分析仪，可用于精确闭环控制 DIO ₃浓度。臭氧水输送系统专为维护稳定的 DIO ₃而设计浓度，即使有不同的 DIO₃ 需求。它具有用于低压超纯水供应的集成增压泵。