原子层沉积系统

原子层沉积 (ALD) 是一种在原子尺度上沉积薄膜的技术，它在连续脉冲中使用样品表面和前体之间的化学反应。与传统的等离子增强化学气相沉积 (PECVD) 技术相比，沉积速率较慢，但可以在高纵横比的沟槽和通孔结构上实现共形薄膜涂层。此外，在原子层沉积过程中，样品表面不会出现物理和电气损坏，这在 PECVD 工艺中由于离子轰击而很常见。此外，可以使用各种前体材料形成各种类型的薄膜（氧化物、氟化物、氮化物、金属等）。

该系统能够将腔室加热至 500°C。此外，该系统能够进行高速气体切换。这些特性实现了可重复和可控的过程。一次沉积一个原子层可以精确控制单个 Å 级别的薄膜厚度。阶梯覆盖非常好，可以沉积在高纵横比的沟槽和结构上。对于 AlO x薄膜沉积，以高于 40 的纵横比实现了沟槽图案的覆盖。此外，该薄膜显示出 7.5 MV/cm 的介电强度。

此外，该系统旨在最大限度地减少前体消耗，这有助于最大限度地减少运行 ALD 系统的消耗品成本。为了便于维护，该系统有一个保护罩，以防止沉积在加热器上。

示例：

AlO x薄膜沉积在沟槽图案的侧壁和底部显示出共形台阶覆盖

开放区域：1.78 µm
沟槽深度：71.8 µm
纵横比：40.3