沉积系统

电解质和硅之间的大带隙和升高的高度具有重要的化学性质，以及硅 (Si) 晶片上传统电介质材料二氧化硅 (SiO₂)的热稳定性Al ₂ O ₃薄膜是用热ALD系统沉积的。沉积温度为 250 °C，n 型 Si (100) 衬底具有 1-100 Ω cm 电阻率和试甲基铝 (TMA) 作为 Al 的前体使用了2 O ₃ Al ₂ O ₃沉积的载气和吹扫气体流速为0.3L/min。此外，脉冲时间为 0.1 秒，吹扫时间为 20 秒。氧化剂 (H ₂ O) 脉冲和吹扫时间分别为 0.1 秒和 60 秒。Al ₂ O ₃层以 100 个循环沉积。在沉积之前，使用丙酮、异丙醇和去离子水通过标准预清洗方法处理基板。随后，将基板在N ₂环境中干燥以防止在表面上形成水印。准备了八个样品用于氧化物层沉积。沉积开始于预氩气吹扫，作为第二步的100 个循环的 Al ₂ O ₃沉积，以及作为第三步的后氩气吹扫。在 70° 的入射角下用椭圆光度法测量 ALD 沉积薄膜的厚度。因为所有八个样品都同时覆盖了 Al ₂ O ₃，它们的氧化物厚度大致相同。每个循环 (GPC) 的平均计算增长为 1.14 Å。

 主要优势：

1、晶圆尺寸从75mm到300mm

2、径向对称气流，实现了卓越的片内（WIW）均匀性

3、多达10条气体管路和可选的主板控制液体输送系统

4、用于应力调整的混频等离子体能力

5、用于关键低温<175°C封装应用的动态加热盘冷却

6、单片和多片式预加热腔体可选，用于对敏感衬底进行除气处理